具有温度稳定性的SiC CMOS运算放大器的设计
设计了具有温度稳定性的SiC CMOS运算放大器.根据所希望的IDSat(ZTC)和任一节点泄漏电流为零的原则设计偏置电路;输入采用差分输入,同时按照泄漏电流匹配的原则,合理选取Dcomp的面积.Si MOS器件电源电压为5 V,采用TSMC 0.25 μm工艺制作.当温度从300 K变化到600 K时,SiC 运放的增益和相位裕度的变化率分别为2.5%和3.3%,而Si电路的增益从300 K的64 dB降到-80 dB,失去电路的稳定性.但是,由于SiC MOS器件沟道迁移率低,导致器件的跨导低于相同尺寸下的Si器件,所以其开环增益也小于相同结构和尺寸的Si运算放大器.
SiC、CMOS、运算放大器、零温度系数
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TN402;TN722.7+7(微电子学、集成电路(IC))
教育部重点科技项目资助02074;国家部委预研项目资助41308060105
2009-01-12(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共6页
697-702