用于微波功率器件的层级式片上功率合成技术
提出了一个包含版图分布参数和引线寄生参数在内的微波功率HBT的宏模型,建立了通过微波仿真进行器件结构优化的技术方法.基于以上模型和方法,较为全面地评估了实际器件中各寄生参数对器件输出功率的影响,继而提出了片上功率合成的层级式技术方案.数值计算指出,采用该方案,在相同版图面积并且器件的线性度等关键性指标得到保证的情况下,可有效地提高SiGe HBT的功率容量.
微波功率器件、大信号模型、SiGe HBT、功率合成
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TN385(半导体技术)
2009-01-12(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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