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低噪声和高增益CMOS下变频混频器设计

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设计并实现了一个用于GPS接收机射频前端的CMOS下变频混频器.基于对有源混频器的噪声机制的物理理解,电路中采用了噪声消除技术,以减少Gilbert型混频器中开关管的闪烁噪声,并引入一个额外的电感与开关对共源节点的寄生电容谐振,改善整个电路的噪声系数和转换增益等关键性能指标.电路采用TSMC 0.25 μm RF CMOS工艺实现,SSB噪声系数为7 dB,电压转换增益为10.4 dB,输入1 dB压缩点为-22 dBm,且输入阻抗匹配良好,输入反射系数为-17.8 dB.全差分电路在2.5 V供电电压下的功耗为10 mW,可满足GPS接收机射频前端对低噪声、高增益的要求.

CMOS、射频集成电路、下变频混频器、GPS接收机

38

TN773(基本电子电路)

国家高技术研究发展863计划资助项目2007AA12Z344

2009-01-12(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

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微电子学

1004-3365

50-1090/TN

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2008,38(5)

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