SiGe材料的组分表征研究与退火分析
采用固相扩散法在n-Si (100) 衬底上制备了两组退火条件不同的SixGe1-x薄膜.利用椭圆偏振光谱和二次离子质谱技术,对薄膜的厚度及组分分布进行了表征,两者具有较好的一致性.分析了退火对薄膜厚度、组分和应变的影响.成功得到了完全驰豫状态的SixGe1-x薄膜,可用于实际器件制作.
SixGe1-x薄膜、椭圆偏振光谱、二次离子质谱、退火、组分分布
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TN304.055(半导体技术)
2009-01-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
660-662,683
