一种基于跨导电流比-反型系数-过驱动电压的设计方法
提出了一种基于MOSFET反型系数(Inversion Coefficient)且适合于MOSFET工作在任何反型区的模拟集成电路的设计方法.对于一定工艺的深亚微米模拟集成电路,结合查表法进行的手工估算值与仿真值的误差可控制在±10%左右.该方法尤其适用于低压、低功耗设计.
跨导电流比、反型系数、MOSFET、模拟集成电路
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TN431.1(微电子学、集成电路（IC）)
2009-01-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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