ESD保护器件GGNMOS二次击穿前的建模
基于ESD应力下GGNMOS的工作特性,从GGNMOS的内部物理过程,推导建立了二次击穿前GGNMOS的器件级模型,并给出了相应的参数提取方法;实现了输入工艺参数等到模型中,即可仿真GGNMOS二次击穿前的I-V特性.通过与TLP实际测试结果的比较,证实了所推导模型的可行性.
ESD保护器件、GGNMOS、数值建模、大电流效应
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TN406(微电子学、集成电路（IC）)
国家自然科学基金资助项目50661001,50061001;广西科学基金资助项目桂科基0639004
2009-01-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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