期刊专题

数模混合电路的全芯片防静电保护

引用
随着集成电路的迅速发展,特别是数模混合电路的广泛应用,静电放电(ESD)已成为导致集成电路内部静电损伤的可靠性问题,它常常在集成电路的输入、输出端口以及从电源到地的电路内部形成,给芯片的制造和设计带来了很大的困难.文章对芯片防静电保护电路进行了总结,分析和讨论了几种数模混合电路防静电保护技术.

静电保护、数模混合电路、诊测电路、总线结构

38

TN43(微电子学、集成电路(IC))

2008-10-22(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共6页

534-539

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

微电子学

1004-3365

50-1090/TN

38

2008,38(4)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn

打开万方数据APP,体验更流畅