高压高可靠性VDMOS功率器件钝化膜工艺研究
对500～1200 V统一工艺平台的VDMOS功率器件的钝化膜工艺进行了研究.通过选择钝化膜介质(SiON)工艺条件,选择合适的光刻条件,使该器件的表面极化低于50 V,大大增强了器件在高压工作环境下的可靠性.
VDMOS、功率器件、钝化膜、氮氧化硅、极化
38
TN304.055(半导体技术)
2008-10-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
497-501
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VDMOS、功率器件、钝化膜、氮氧化硅、极化
38
TN304.055(半导体技术)
2008-10-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
497-501
国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号：2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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