ESD应力下的扩散电阻及模型击穿特性
随着集成电路的尺寸越来越小,其对静电放电(ESD)也变得越来越敏感,而电阻在ESD保护电路中可以起到隔离和分压的作用.对ESD应力下扩散电阻的四个区域:线性区、饱和区、雪崩倍增和负微分电阻区、二次击穿区的模型进行了分析.通过TLP实验对大电流作用下的电阻特性进行验证研究,试验分析了扩散电阻的ESD保护特性;着重讨论了二次击穿区,即热击穿区,的电阻特性,得出电阻的热击穿最先发生在阳极n+-n结,继续加大电压会使阳极一阴极间完全热烧毁的结论.
ESD应力、扩散电阻、TLP测试、二次击穿
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TN406(微电子学、集成电路（IC）)
国家重点实验室基金5130804108
2008-10-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
469-472
