一种780～930 MHz低功耗LCVCO的设计
综合分析了压控振荡器设计的参数对指标、性能的影响;根据分析结果,实现了一个工作在700～900 MHz的低功耗压控振荡器.该压控振荡器采用UMC 0.18 μm CMOS工艺实现,三位粗调电容.测试结果表明,该压控振荡器输出频率780～930 MHz,VCO相位噪声为-103 dBc/1 MHz,芯片面积为700 μm×600 μm,功耗仅为6.1 mW.
压控振荡器、射频、相位噪声、MOSFET
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TN752(基本电子电路)
2008-08-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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