30 V沟槽MOSFET优化设计
借助半导体专业模拟软件Tsuprem-4 和Medici,模拟得到一组最佳的30 V 沟槽MOSFET结构和工艺参数;给出了特性模拟曲线.在此基础上,详细讨论了沟槽的宽度和深度变化对沟槽 MOSFET的阈值电压、击穿电压、漏电流及导通电阻等特性的影响.最后,根据模拟得到的最佳参数进行了流片实验.结果表明,所设计器件的击穿电压大于35 V,Vgs为10 V下的导通电阻为21 mΩ* mm2.
沟槽、MOSFET、击穿电压、导通电阻、阈值电压
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TN710;TN432(基本电子电路)
2008-08-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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338-341
