CrSi薄膜电阻退火条件的优化
针对CrSi薄膜电阻稳定性,对CrSi薄膜电阻阻值变化的机理进行分析;通过开展退火条件对CrSi薄膜电阻稳定性的影响实验,获得优化的退火条件,将CrSi薄膜电阻的温度系数从原来的100 ppm降到20～50 ppm,大大提高了电阻网络的稳定性.
CrSi电阻、退火条件、温度系数
38
TN37(半导体技术)
2008-08-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
316-319
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CrSi电阻、退火条件、温度系数
38
TN37(半导体技术)
2008-08-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
316-319
国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号：2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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