SiC VDMOS特性的影响因素分析
研究了材料、栅氧化层厚度和沟道长度对SiC VDMOS结构特性的影响.结果表明,4H-SiC器件具有更高的电流密度,因此,4H-SiC比6H-SiC更适合用于功率器件.对阈值电压和漏极电流的分析表明,在Vds= 0.1 V、Vgs=15 V时,阈值电压随栅氧化层厚度的增大而线性增大,随沟道长度的增加而增大;而漏极电流密度则随栅氧化层厚度的增加而减小,随沟道长度的增加而减小.
SiC、VDMOS、栅氧化层、沟道长度
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TN304.2+4(半导体技术)
陕西省西安市科技计划XA-AM200502
2008-06-24(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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