MOCVD制备PZT薄膜技术研究
采用直接液体输运-金属氧化物化学气相淀积技术(DLI-MOCVD),制备Pb (ZrxTi1-x)O3(PZT)薄膜;通过研究MOCVD中影响PZT质量的主要工艺参数,如温度、压力、系统的气体流量(Ar、O2)、衬底转速、蠕动泵速等,制备不同组分PZT薄膜;给出了不同衬底的PZT淀积结果.PZT薄膜的均匀性大于±5%,尺寸为25～200 mm,厚度50～500 nm.经XRD测试,可得PZT薄膜已形成钙钛矿结构.SEM分析也表明,制备出的PZT表面致密均匀.
MOCVD、PZT、压电、铁电
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TN386.1(半导体技术)
全国博士后科学基金20060400427;国家自然科学基金90407023;60601003
2008-06-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
197-200
