偏置条件对NMOS器件X射线总剂量效应的影响
采用10 keV X射线,对NMOSFET在不同偏置条件下进行总剂量辐射,分析了辐照前后辐射感生的氧化物陷阱电荷与界面态电荷对MOS器件阈值电压的影响以及辐射导致漏电现象.实验结果表明,对于NMOSFET,On偏置条件是最劣偏置条件,Off偏置条件是最优偏置条件.
X射线、总剂量辐射效应、辐射偏置、中带电压法
38
TN306(半导体技术)
国家重点实验室基金9140C030604070C0304;国家重点实验室基金9140C030601060C0302
2008-06-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
166-169,173
