延伸摩尔定律的应变硅技术
应变硅已成为延伸摩尔定律(Moore's Law)的重要技术手段之一.综述了应变硅技术的发展及趋势.首先,从物理理论上分析了应变对硅沟道迁移率的影响;然后介绍了现有的各种应变硅技术;最后,分析了应变硅技术的发展趋势.
CMOS、应变硅、迁移率增强、源/漏工程、应力帽层、绝缘体上应变硅
38
TN432(微电子学、集成电路(IC))
2008-05-20(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共7页
50-56
CMOS、应变硅、迁移率增强、源/漏工程、应力帽层、绝缘体上应变硅
38
TN432(微电子学、集成电路(IC))
2008-05-20(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共7页
50-56
国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1
违法和不良信息举报电话:4000115888 举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn