10.3969/j.issn.1004-3365.2007.06.016
基于BSIM3模型的毫米波MOS变容管建模
提出了应用于毫米波段的MOS变容管的建模方法.针对标准0.18μm CMOS工艺,采用2D器件仿真软件MINIMOS,设计实现了积累型MOS变容管;并提出和分析了基于标准BSIM3模型的MOS变容管的等效电路模型;通过MINIMOS仿真,直接提取电路模型各寄生参数.该模型能方便地在电路设计软件中实现,并能预测最高达40 GHz频率范围内的变容管特性.
毫米波、CMOS、建模、MOS变容管、BSIM3
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TN386(半导体技术)
上海市应用材料研究与发展项目0506
2008-04-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
833-837
