10.3969/j.issn.1004-3365.2007.06.015
基于陷阱的4H-SiC MESFET频散效应分析
在建立正确模型的基础上,运用ISE软件的二维仿真,模拟了4H-SiC MESFET在交流小信号条件下,表面陷阱和体陷阱对跨导和漏电导随频率变化的影响.分析了产生频散效应的原因以及内部机理,同时考虑了不同环境温度对跨导的频散影响.结果表明,在低频条件下,陷阱会导致跨导和漏电导频散,漏电压越大,环境温度越高,频散越不明显.
4H-SiC、MESFET、陷阱、跨导、漏电导、频散
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TN304.2+4(半导体技术)
2008-04-10(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
830-832,841