10.3969/j.issn.1004-3365.2007.06.012
SOI横向栅控双极晶体管特性研究
横向SOI双极技术具有工艺简单、寄生电容小等优势,被认为是射频领域最有希望的技术之一.为了得到可用于射频领域的SOI横向栅控双极晶体管特性,采用一种SOI横向栅控双极晶体管器件结构,研究范围包括工艺实现过程和器件性能特性.实验表明,该器件工艺与平面CMOS工艺完全兼容,通过对栅端电压的控制,可以实现hFE在一个较大的范围内自由调节,具有更大的使用灵活性.
SOI、横向双极晶体管、射频
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TN322+.8(半导体技术)
2008-04-10(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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