10.3969/j.issn.1004-3365.2007.06.011
应变硅pMOS晶体管沟道应变的有限元研究
通过有限元方法,研究了一种采用SiGe源漏结构的pMOS晶体管中硅沟道的应变及其分布情况,模拟计算结果与利用会聚束电子衍射方法测量得到的数据能够较好地吻合,验证了模拟模型及方法的正确性.结果表明:提高源漏SiGe中的Ge组分、减小源漏间距、增加源漏的刻蚀深度和抬高高度,能有效增加沟道的应变量,为通过控制应变改善载流子迁移率提供了设计依据.
有限元、应变硅、应变、锗硅、pMOS
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TN432(微电子学、集成电路（IC）)
国防重点实验室基金51433020105DZ6802
2008-04-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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815-818
