10.3969/j.issn.1004-3365.2007.06.009
电流注入CMOS混频器的设计及特性分析
分析并比较了两种基于电流注入技术的混频器的性能;定量地解释了跨导互补的电流注入混频器线性降低的原因.分析表明,相对于双平衡Gilbert混频器,两种基于Gilbert单元的电流注入混频器的性能,如增益、噪声和线性,都有所改善;传统电流注入混频器具有更好的线性特性,而跨导互补的电流注入混频器在增益和噪声方面则有更好的表现.基于TSMC 0.18μm CMOS混频器的仿真结果,对理论分析进行了验证.
CMOS、混频器、电流注入
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TN773(基本电子电路)
2008-04-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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