10.3969/j.issn.1004-3365.2007.04.004
基于45 nm技术的ULSI互连结构的温度模拟
应用自行建立的准二维简化模型,计算了三种基于45 nm节点技术的ULSI九层低介电常数介质互连结构的温度升高.与ANSYS的分析对比表明,简化模型误差为7.7%.三种互连结构中,结构III设计具有最佳的散热能力,不仅工作时绝对温升小,而且随衬底温度和介质导热系数的温升加大也小;结构I的散热能力良好,结构III最差.对三种互连结构的尺寸分析表明,层间介质的厚度对互连系统的温升影响大,必须在电学模拟和温度模拟完成后找到一个最佳厚度值,以保证既有好的散热条件,又有利于减小RC延迟.互连结构的温升随电介质导热系数的减小呈二阶指数升高,特别当介质导热系数小于0.1 W/℃·m时, 互连结构设计将会成为器件温升和系统可靠性的关键所在,引入新技术或许势在必行.
超大规模集成电路、铜互连、温度分析、低介电常数材料
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TN405.97(微电子学、集成电路（IC）)
中-韩合作项目TND 100-130-131
2007-10-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
474-477,481
