10.3969/j.issn.1004-3365.2007.03.035
一种具有高稳定性的带隙基准电路
针对基极-发射极电压与温度呈非线性关系的问题,设计了一种高阶温度补偿方法:通过在PTAT产生电路的基极引入一个小电阻,在基准电压中迭加一个温度的指数函数,以达到消除高次项的目的.针对电源电压变化的问题,在保留传统带隙基准反馈回路的基础上,提出了一种钳位互补补偿方法,通过稳定偏置电流来降低电源变化对基准的间接影响.文中给出了详细的分析和电路实现.该电路通过Hspice验证,温度系数仅为1.43 ppm/℃,并具有0.105 mV/V的电源抑制特性及直流PSRR=65 dB的高电源抑制比.
带隙基准电路、温度补偿、电源抑制比、负反馈回路
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TN431.1(微电子学、集成电路(IC))
2007-07-30(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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