10.3969/j.issn.1004-3365.2007.03.028
一种新型2.4 GHz RF低噪声放大器的设计
提出了一种新型的低噪声放大器,在输入管的栅极加入一个电容,使放大器的噪声性能与增益都得到明显的改善.该电路基于Chartered 0.18μm CMOS工艺设计,工作频率为2.4GHz.仿真表明,在电流消耗为300 μA的条件下,提出的低噪声放大器具有更好的噪声系数与增益,分别比传统的电感源极衰减低噪声放大器改善1.9 dB与5.3 dB.
低噪声放大器、噪声系数、失配因子
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TN431.1(微电子学、集成电路（IC）)
天津市科技攻关项目033187111
2007-07-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
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