10.3969/j.issn.1004-3365.2007.03.006
VDMOS管器件模拟研究
在衡量半导体器件是否符合设计要求时,技术指标首先指器件直流电学性能,包括输出特性曲线和转移特性曲线,以及相应的电学参数.文章在介绍工艺与器件模拟方法的基础上,针对不同的工艺参数、结构和材料特性,开展器件模拟,分析与研究器件的电学特性.通过模拟研究,确认影响电学性能的主要因素,为研制VDMOS样管提供理论指导.
VDMOS管、工艺模拟、器件模拟、转移特性
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TN386(半导体技术)
国防科技预研基金
2007-07-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
326-329
