10.3969/j.issn.1004-3365.2007.03.004
SiGe和SiGeC HBT速度过冲模型
建立了超薄基区SiGe和SiGeC HBT的速度过冲模型.通过求解能量平衡方程,得到电子温度分布,B-C结附近的电子温度远高于晶格温度.Ge的分布对SiGe BHT速度分布影响很大,对于线性分布,Ge梯度越大,速度过冲越明显;Ge梯度一样时,线性分布比梯形分布的速度大.梯形分布的SiGe HBT基区也发生速度过冲.SiGeC HBT速度过冲现象与SiGe HBT相似.
速度过冲、电子温度、SiGe HBT、SiGeC HBT
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TN322+.8(半导体技术)
2007-07-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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