10.3969/j.issn.1004-3365.2007.03.002
LDD功率器件表面电场解析模型及优化
提出低掺杂漏(Lightly Doped Drain,LDD)功率器件表面电场和电势解析模型.基于分区求解二维Poisson方程,获得二维表面电场和电势的解析表达式.借助此模型,研究器件结构参数对表面电场和电势的影响;计算漂移区长度与击穿电压的关系,分析了击穿电压随低掺杂漏区掺杂浓度和漂移区厚度的变化,从理论上揭示了获得最大击穿电压的条件.解析结果与数值结果吻合较好,验证了模型的准确性,该模型可用于硅基LDD功率器件的设计优化.
低掺杂漏、表面电场、击穿电压、解析模型
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TN432(微电子学、集成电路（IC）)
2007-07-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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309-312
