10.3969/j.issn.1004-3365.2007.01.028
一种新颖的高电源抑制比亚阈值MOSFET电流基准源
基于亚阈值MOSFET,提出了一种新颖的高电源抑制比(PSRR)电流基准源.基准电路充分利用工作在亚阈值区MOSFET的I-V跨导特性和改进的具有高负反馈环路增益预电压调制,为电流基准核电路提供电源.电路设计采用SMIC 0.18 μm标准CMOS数字工艺技术.在1.5 V电源电压下,电路输出1.701 μA的稳定电流,在-40 ℃到150 ℃温度范围内,具有非常低的温度系数(2.5×10-4 μA /℃);并且,在宽泛的频率范围内,具有很好的电源噪声抑制能力.电源抑制比在dc频率为-126 dB,在高于1 MHz频率范围内,仍能保持-92 dB.基准电路在高于1.2 V电源电压下可以稳定工作,并具有很好的CMOS工艺兼容性.
电流基准源、电压调制器、亚阈值MOSFET、CMOS集成电路
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TN432(微电子学、集成电路（IC）)
2007-04-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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