10.3969/j.issn.1004-3365.2007.01.016
MOSFET迁移率增强技术
随着MOSFET特征尺寸的缩小,载流子的迁移率降低已成为器件性能衰退的主要因素之一,迁移率增强技术因此获得了广泛的研究和应用.衬底诱生应力、工艺诱生应力和采用不同的衬底晶向等三类方法都可以显著提高载流子的迁移率.文章综述了常见的几种迁移率增强技术.
MOSFET、载流子迁移率、衬底诱生应力、工艺诱生应力、衬底晶向
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TN432(微电子学、集成电路（IC）)
2007-04-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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