10.3969/j.issn.1004-3365.2007.01.002
应力对GaN HEMT器件电流崩塌的影响
电流崩塌是目前GaN HEMT微波功率器件中最严重的问题之一,国内外都有研究,但尚无统一结论.通过实验,研究了GaN HEMT器件电流崩塌现象.研究表明,不同电应力条件下,导致漏电流崩塌和最大跨导下降的物理机制不同,在大电场应力下,主要物理机制是栅隧穿电子填充表面态;而在热电子应力下,是沟道热电子填充界面态.
GaN HEMT、电流崩塌、热电子应力、大电场应力
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TN304(半导体技术)
国家重点基础研究发展计划973计划2002CB3119;513270407;国防重点实验室基金51432030204DZ0101;51433040105DZ0102
2007-04-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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