10.3969/j.issn.1004-3365.2007.01.001
4H-SiC功率MESFET直流I-V特性解析模型
提出了一种改进的4H-SiC MESFET大信号直流解析模型.该模型基于栅极下面电荷的二维分布进行分析,在考虑电场相关迁移率、速度饱和及沟道内电荷堆积的基础上,计入沟道长度调制效应,建立基于物理的沟道长度调制效应模型.计算结果表明,计入沟道长度调制效应后的直流模型在饱和区与实测的I-V特性较为吻合.
4H-SiC、MESFET、I-V特性、解析模型
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TN304.2+4(半导体技术)
国家重点基础研究发展计划973计划513270101
2007-04-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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