10.3969/j.issn.1004-3365.2006.06.022
一种1.8 ppm/℃曲率补偿BiCMOS带隙基准源
介绍了一种基于BiCMOS工艺的新型温度补偿技术.该技术充分利用了PN结反向饱和电流是温度敏感函数的特性,使用简单的电路结构,达到了很好的温度特性和电源抑制性能.该电路结构产生的带隙基准电压在-40～125 ℃范围内使用HSPICE进行仿真,得到的温度系数仅有1.8 ppm/℃.
BiCMOS、温度补偿、带隙基准电压、温度系数
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TN433(微电子学、集成电路（IC）)
2007-01-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
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