10.3969/j.issn.1004-3365.2006.06.018
一种低温漂低电源电压调整率CMOS基准电流源
通过对带隙基准电路零温漂点设置的开发,获取负温系数电压,实现负温系数电流获取新方法,发展令PMOSFET源栅电压与阈值电压的电源电压变化率相消,从而优化电源电压调整率的新概念,提出了一种CMOS基准电流源新方案.源于SMIC 0.35 μm CMOS工艺模型.Cadence Hspice模拟验证结果表明,在-40～85 ℃温度范围内,温度系数为6.9 ppm/℃;3.0～3.6 V电压区间,电源电压调整率系10.6 ppm/V,低于目前文献报道的基准电流源相应指标.该新方案已经用于10位100 MSPS A/D转换器的研究设计,并可望应用于高精度模拟/混合信号系统的开发.
CMOS基准电流源、负温系数电流、低温漂、低电源电压调整率
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TN431.1(微电子学、集成电路（IC）)
国家自然科学基金60072004
2007-01-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
763-766
