10.3969/j.issn.1004-3365.2006.06.013
SOI SRAM灵敏放大器中动态体放电技术研究
在SOI SRAM锁存器型灵敏放大器中,设计了一对小的下拉管,用来动态地释放交叉耦合反相器中N管上的体电荷.这种动态体放电的方法有效地解决了部分耗尽SOI CMOS器件体电位不匹配的问题,得到了可重复性低阈值电压,提高了SRAM的读取速度.
绝缘体上硅、部分耗尽、SRAM、动态体放电、灵敏放大器
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TN432(微电子学、集成电路（IC）)
2007-01-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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