10.3969/j.issn.1004-3365.2006.06.012
高压SOI-LDMOS截止频率研究
建立了高压SOI-LDMOS截止频率ft的提取方法,并借助半导体器件专业软件Tsuprem-4和Medici,对截止频率ft与栅源电压Vgs和漏源电压Vds的关系进行了分析;研究了栅氧化层厚度、漂移区注入剂量、SOI层厚度和场极板长度等四个关键参数对截止频率的影响;最后,提出了提高SOI-LDMOS截止频率的方法.
SOI-LDMOS、截止频率、栅氧化层、漂移区、场极板
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TN432(微电子学、集成电路(IC))
国家高技术研究发展计划863计划2004AA1Z1060;江苏省研究生培养创新工程项目XM04-30;东南大学校科研和教改项目YBJJ0413
2007-01-15(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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