10.3969/j.issn.1004-3365.2006.06.011
射频高损耗硅基双互连线建模
针对高损耗硅衬底,采用部分元等效电路法和准静磁积分公式,将衬底涡流等效为衬底镜像电流,建立射频硅基双互连线等效电路模型.该模型考虑了趋肤效应、邻近效应和衬底损耗对互连线串联电感Ls和串联电阻Rs频率特性的制约.通过与全波分析方法对比,验证了在20 GHz范围内由该模型导出的互连线等效电感L、等效电阻R误差均在8%以内.该模型可望应用于硅基射频集成电路设计.
射频、互连线、趋肤效应、邻近效应、衬底镜像电流、衬底趋肤效应
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TN405.97(微电子学、集成电路（IC）)
2007-01-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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732-735
