10.3969/j.issn.1004-3365.2006.06.003
本征击穿电场与禁带宽度的关系
在汇集实验数据的基础上,提出了对半导体和绝缘体材料的本征击穿电场与其禁带宽度之间关系的通用表达式.根据半导体与绝缘体本征击穿电场规律的不同,首次有依据地提出了用禁带宽度Eg值对材料进行明确统一分类的定量判据:击穿场判据.给出了直接用禁带宽度Eg表示的半导材料的各种简化优质系数表达式.基于文章提出的关系式,计算了多种重要的二元化合物半导体及高k栅介质的本征击穿电场预期值.
本征击穿电场、禁带宽度、半导体/绝缘体、击穿场判据、简化优值系数
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TN304(半导体技术)
2007-01-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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