10.3969/j.issn.1004-3365.2006.05.025
纳米级MOS器件中电子直接隧穿电流的研究
文章从分析量子力学效应对纳米级MOS器件的影响出发,采用顺序隧穿理论和巴丁传输哈密顿方法,建立了纳米级MOS器件直接隧穿栅电流的计算模型.通过和实验数据的比较,证明了该模型的有效性.计算结果表明,在纳米级MOS器件中,采用SiO2作栅介质时,1.5 nm厚度是按比例缩小的极限.该计算模型还可以用于高介电常数栅介质和多层栅介质MOS器件的直接隧穿电流的计算.
器件物理、纳米级MOS器件、直接隧穿电流、顺序隧穿
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TN386.1(半导体技术)
湖南省高校青年骨干教师培养基金521105237;湖南大学校科研和教改项目521101805
2006-11-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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