10.3969/j.issn.1004-3365.2006.05.020
超高真空CVD对锗硅外延材料中锗分布的优化
对自行研制的超高真空化学气相外延设备(RHT/UHV/CVD SGE500)的气路系统进行了改进,使之能够生长出较好的Ge分布图形.利用X射线双晶衍射(DCXRD)和二次离子质谱(SIMS)测试技术,研究并优化了外延生长参量,最终得到了具有优化Ge分布的SiGe材料.
超高真空化学气相淀积、渐变Ge分布、SiGe材料
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TN304.055(半导体技术)
2006-11-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
615-617,621
