10.3969/j.issn.1004-3365.2006.05.019
功率SiGe/Si HBT的温度特性
测量了Si/SiGe HBT在23～260℃温度范围内的Gummel图、理想因子n、不同基极电流下的发射结电压VBE、电流增益β、共发射极输出特性,以及Early电压VA的变化情况.结果表明,随电流和温度的增加,β减少,VBE随温度的变化率d VBE/dT小于同质结Si BJT.在高集电极-发射极电压和大电流下,在输出特性曲线上观察到了负微分电阻(NDR)特性.结果还显示,电流增益-Early电压积与温度的倒数(1/T)呈线性关系,这对模拟电路应用是很重要和有用的.
SiGe/Si、异质结晶体管、温度特性
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TN322+.8(半导体技术)
国家自然科学基金60376033;北京市优秀人才培养基金67002013200301;国家重点实验室基金51439010804QT0101;北京市教委科研项目;北京市属市管高校中青年骨干教师培养计划资助项目
2006-11-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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611-614
