10.3969/j.issn.1004-3365.2006.05.018
SiGe HBT基区渡越时间研究
对基于SiGe HBT基区本征载流子浓度和电子迁移率依赖于掺杂、基区Ge组分分布和速度饱和效应的基区渡越时间进行了研究.结果表明,相同Ge组分条件下,基区渡越时间τb随WB由100 nm减薄到50 nm,降低了74.9%;相同WB,Ge组分为0.15比0.1 Ge组分的τb减小了33.7%.该研究与其他文献的结果相吻合,可为SiGe HBT基区设计提供一定的理论指导.
SiGe HBT、基区渡越时间、速度饱和
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TN322+.8(半导体技术)
2006-11-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
608-610,614
