10.3969/j.issn.1004-3365.2006.05.017
SiGe HBT异质结势垒高度物理模型研究
基于SiGe HBT异质结势垒效应(HBE)产生的物理机制,综合考虑Ge引入集电区和大电流下电流感应基区中少子浓度对空穴浓度的影响,建立了异质结势垒高度解析模型.结果表明,将Ge引入集电区可有效地推迟HBE发生;同时,考虑少子浓度的影响,势垒高度具有明显的饱和趋势,峰值约为0.07 eV.
SiGe HBT、异质结势垒效应、解析模型
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TN322+.8(半导体技术)
2006-11-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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