10.3969/j.issn.1004-3365.2006.05.016
SiGe HBT基区结构的优化对欧拉电压的影响
欧拉电压是SiGe HBT一项重要的直流参数,受到基区结构(如Ge组分)的影响.研究发现,高温过程会导致硼的外扩散,从而影响异质结的位置,使欧拉电压受到影响.实验发现,通过优化基区结构,加厚CB结处i-SiGe厚度,可获得VA=520 V,βVA=164,320 V的SiGe HBT.
SiGe HBT、欧拉电压、硼外扩散
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TN322+.8(半导体技术)
2006-11-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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