10.3969/j.issn.1004-3365.2006.05.015
版图尺寸对SiGe/Si HBT高频噪声特性的影响
从实验上研究了版图尺寸对Si/SiGe HBT高频噪声特性的影响.结果表明,在现有工艺条件下,减少外基区电阻(即减少发射极与基区间距),对降低高频噪声很显著.增加基极条数、增加条长也可减少基极电阻,降低高频噪声.发射极条宽从2μm减少为1μm,对噪声的改善很有限.对1μm或2μm条宽,40μm条长的5个基极条或9个基极条的SiGe HBT,在片测试表明,频率从0.4 GHz增加到1.2 GHz,噪声系数在2.5～4.6 dB之间变化.
SiGe/Si、异质结晶体管、高频噪声
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TN322+.8(半导体技术)
国家自然科学基金60376033;北京市优秀人才培养基金67002013200301;国家重点实验室基金51439010804QT0101;北京市教委科研项目;北京市属市管高校中青年骨干教师培养计划资助项目
2006-11-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共3页
598-600
