10.3969/j.issn.1004-3365.2006.05.014
基于1.5 μm BiCMOS 工艺的SiGe HBT器件设计优化
基于非选择性外延,自对准注入技术,集电区选择性注入和快速热退火工艺,提出了一种适用于1.5μm BiCMOS集成技术的SiGe HBT器件结构.该结构具有内基区薄,外基区厚,B/E结两侧杂质浓度低,发射极/基极自对准诸优点.利用TSuprem4和Medici进行工艺模拟和电学特性仿真.结果表明,所设计的的SiGe HBT具有良好的电学特性,其最大电流增益为210,当Vce =2.5 V时,截止频率达到65 GHz,验证了器件结构设计的合理性.
SiGe HBT、BiCMOS工艺、快速热退火、自对准工艺、选择性注入
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TN325+.3(半导体技术)
2006-11-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
595-597,600
