10.3969/j.issn.1004-3365.2006.05.012
一种低噪声SiGe微波单片放大电路
介绍了一种利用SiGe技术制作的低噪声SiGe微波单片放大电路(MMIC).该电路以达林顿结构的形式级联,由两个异质结双极型晶体管(HBT)和4个电阻组成;HBT采用准自对准结构,其SiGe基区为非选择性外延.在1 GHz频率下,电路噪声为1.59 dB,功率增益为14.3 dB,输入驻波比为1.6,输出驻波比为2.0.
SiGe HBT、达林顿结构、微波单片集成电路、硅化物
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TN454(微电子学、集成电路(IC))
2006-11-13(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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