10.3969/j.issn.1004-3365.2006.05.011
一种带功率检测的TD-SCDMA锗硅功率放大器
设计了一个用于TD-SCDMA的锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)功率放大器.该放大器使用3.3 V电源,内部实现了包括级间匹配网络等的全电路片上集成.对于码分多址环境,功率放大器提供28 dBm的功率输出,实现34.8%的功率附加效率(PAE),另外,在28 dBm的输出功率下,邻道功率泄漏比(ACPR)小于-35 dBc.该功率放大器同时包括动态控制偏置电路和完全集成的功率检测器.
功率放大器、锗硅、功率检测、TD-SCDMA
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TN722.1+6;TN402(基本电子电路)
2006-11-13(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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