10.3969/j.issn.1004-3365.2006.05.010
一种新型2.4 GHz SiGe BiCMOS低噪声放大器
基于窄带低噪声放大器理论,设计了一种2.4 GHz,具有低功耗、低噪声和良好匹配性等优点的新型BiFET结构SiGe BiCMOS低噪声放大器.采用TSMC 0.35 μm SiGe BiCMOS工艺库,利用SpectreRF软件的仿真结果显示,该电路具有2.27dB低噪声系数,11.5 dB正向增益;2 V工作电压下,其功耗仅为6.1 mW.研究结果表明,该低噪声放大器在射频蓝牙系统中具有一定的应用前景.
SiGe BiCMOS、低噪声放大器、BiFET、蓝牙系统
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TN433;TN722.3(微电子学、集成电路（IC）)
2006-11-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
580-583
