10.3969/j.issn.1004-3365.2006.05.009
一种具有高电流增益的平面集成SiGe HBT
研制了一种平面集成多晶发射极SiGe HBT.经测量,在室温下电流增益β大于1 500,最大达到2 800,其Vceo为5 V,厄利(Early)电压VA大于10 V,βVA乘积达到15 000以上.这种器件对多晶硅发射极砷杂质浓度分布十分敏感.
SiGe、异质结双极晶体管、平面集成、多晶硅发射极
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TN322+.8(半导体技术)
2006-11-13(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
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