10.3969/j.issn.1004-3365.2006.05.008
一种SiGe低噪声放大器测试基座的研究
对SiGe低噪声放大器(LNA)的测试技术进行了探索,开发出适合SiGe低噪声放大器的可插拔测试基座.通过对商业样品的增益G(S21)、增益平坦度、带宽、回波损耗(S11和S22)、反向隔离度(S12)、1 dB压缩点(P1dB),三阶互调节点(IP3)和噪声系数(NF)等参数的测试,验证了测试系统的准确性.对所开发的单片SiGe低噪声放大器进行了测试,获得了准确的测试数据,准确表征了SiGe低噪声放大器的性能.
锗硅低噪声放大器、S参数、测试基座
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TN407;TN722.3(微电子学、集成电路（IC）)
2006-11-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
572-575
